宫内磁场暴露与后代哮喘危险相关

8月1日，《儿童与青少年医学文献》（Arch Pediatr Adolesc Med.）在线发表的一项前瞻性队列研究发现，孕期母体暴露于高磁场(MF)水平可能增加后代罹患哮喘危险。

　　研究人员De-Kun Li等检测了来自美国圣弗兰西斯科北加州孕妇的MF暴露水平，并对其产后子女（n=626）进行了哮喘临床诊断（随访时间为13年）。

　　经校正潜在的混淆因素后，研究人员发现，孕期母体每日MF暴露水平（中位值）的增加与后代哮喘危险的增加存在线性剂量效应关系（具统计学意义）：孕期母体MF暴露水平每增加1mG，将伴随着后代哮喘率增加15%【校正风险比（aHR）1.15】。对于确定（categorical）的MF水平，结果显示存在类似的剂量效应关系：对于母亲孕期MF暴露水平高（＞2.0 mG）的儿童，其哮喘率的增加是母亲孕期MF暴露水平低（中位24小时MF水平≤0.3 mG）的儿童的3.5倍(aHR 3.52)，而母亲具有中等MF暴露水平（>0.3－2.0mG）的儿童，其哮喘率增加为74%（aHR 1.74）。研究人员还观察到MF效应与母体哮喘史及出生次序（头胎）间存在协同作用（具统计学意义）。来源：医学论坛网